Modeling the Effect of Strong Magnetic Field on N-Type MOSFET in Strong Inversion
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Publikationsdatum
12/2018
Typ der Arbeit
Studiengang
Typ
06 - Präsentation
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Themenheft
DOI der Originalpublikation
Reihe / Serie
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Verlag / Herausgebende Institution
Verlagsort / Veranstaltungsort
Bordeaux
Auflage
Version
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Praxispartner:in/Auftraggeber:in
Schlagwörter
Fachgebiet (DDC)
Veranstaltung
25th IEEE International Conference on Electronics Circuits and Systems
Startdatum der Ausstellung
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Startdatum der Konferenz
Enddatum der Konferenz
Datum der letzten Prüfung
ISBN
ISSN
Sprache
Englisch
Während FHNW Zugehörigkeit erstellt
Ja
Zukunftsfelder FHNW
Publikationsstatus
Unveröffentlicht
Begutachtung
Keine Begutachtung
Open Access-Status
Lizenz
Zitation
PASCAL, Joris, 2018. Modeling the Effect of Strong Magnetic Field on N-Type MOSFET in Strong Inversion. 25th IEEE International Conference on Electronics Circuits and Systems. Bordeaux. Dezember 2018. Verfügbar unter: http://hdl.handle.net/11654/27335