The Influence of the Emitter Orientation on the Noise Characteristics of InP/InGaAs(P) DHBTs

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Autor:innen
Schnyder, Iwan
Jäckel, Heinz
Autor:in (Körperschaft)
Publikationsdatum
2000
Typ der Arbeit
Studiengang
Sammlung
lnstitut für Sensorik und Elektronik
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Typ
04B - Beitrag Konferenzschrift
Herausgeber:innen
Herausgeber:in (Körperschaft)
Betreuer:in
Übergeordnetes Werk
Proc. 24th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Circuits
Themenheft
DOI der Originalpublikation
URI
http://hdl.handle.net/11654/17756
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Reihe / Serie
Reihennummer
Jahrgang / Band
Ausgabe / Nummer
Seiten / Dauer
VII-7-8
Patentnummer
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Praxispartner:in/Auftraggeber:in
Schlagwörter
Fachgebiet (DDC)
Projekt
Veranstaltung
24th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Circuits
Startdatum der Ausstellung
Enddatum der Ausstellung
Startdatum der Konferenz
Enddatum der Konferenz
Datum der letzten Prüfung
ISBN
ISSN
Sprache
Während FHNW Zugehörigkeit erstellt
Ja
Zukunftsfelder FHNW
Publikationsstatus
Begutachtung
Open Access-Status
Lizenz
Zitation
HUBER, Alexander, Iwan SCHNYDER, Heinz JÄCKEL, Crispino BERGAMASCHI und Karl SCHENK, 2000. The Influence of the Emitter Orientation on the Noise Characteristics of InP/InGaAs(P) DHBTs. In: Proc. 24th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Circuits. 2000. S. VII–7–8. Verfügbar unter: http://hdl.handle.net/11654/17756
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