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dc.contributor.authorNguyen, D.-V.
dc.contributor.authorWerling, Lucas
dc.contributor.authorPo, C.
dc.contributor.authorDumas, N.
dc.contributor.authorUhring, W.
dc.contributor.authorHébrard, L.
dc.contributor.authorFakri-Bouchet, L.
dc.contributor.authorPascal, J.
dc.contributor.authorWadghiri, Y.
dc.date.accessioned2019-01-25T08:28:37Z
dc.date.available2019-01-25T08:28:37Z
dc.date.issued2018-12
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11654/27335
dc.description.urihttps://www.ieee-icecs2018.org/uploads/1/7/9/2/17927367/booklet_icecs2018_final.pdf
dc.language.isoen
dc.accessRightsAnonymous
dc.titleModeling the Effect of Strong Magnetic Field on N-Type MOSFET in Strong Inversion
dc.type06 - Präsentation
dc.spatialBordeaux
dc.event25th IEEE International Conference on Electronics Circuits and Systems
dc.audienceScience
fhnw.publicationStateUnpublished
fhnw.ReviewTypeNo peer review
fhnw.InventedHereYes
fhnw.PublishedSwitzerlandNo
fhnw.IsStudentsWorkno


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