Modeling the Effect of Strong Magnetic Field on N-Type MOSFET in Strong Inversion
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Autor:innen
Autor:in (Körperschaft)
Publikationsdatum
12.2018
Typ der Arbeit
Studiengang
Typ
06 - Präsentation
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Übergeordnetes Werk
Themenheft
DOI der Originalpublikation
Reihe / Serie
Reihennummer
Jahrgang / Band
Ausgabe / Nummer
Seiten / Dauer
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Verlag / Herausgebende Institution
Verlagsort / Veranstaltungsort
Bordeaux
Auflage
Version
Programmiersprache
Abtretungsempfänger:in
Praxispartner:in/Auftraggeber:in
Schlagwörter
Fachgebiet (DDC)
Veranstaltung
25th IEEE International Conference on Electronics Circuits and Systems
Startdatum der Ausstellung
Enddatum der Ausstellung
Startdatum der Konferenz
Enddatum der Konferenz
Datum der letzten Prüfung
ISBN
ISSN
Sprache
Englisch
Während FHNW Zugehörigkeit erstellt
Ja
Zukunftsfelder FHNW
Publikationsstatus
Unveröffentlicht
Begutachtung
Keine Begutachtung
Open Access-Status
Lizenz
Zitation
Pascal, J. (2018, December). Modeling the Effect of Strong Magnetic Field on N-Type MOSFET in Strong Inversion. 25th IEEE International Conference on Electronics Circuits and Systems. http://hdl.handle.net/11654/27335