Modeling the Effect of Strong Magnetic Field on N-Type MOSFET in Strong Inversion
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Publikationsdatum
12/2018
Typ der Arbeit
Studiengang
Typ
06 - Präsentation
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Themenheft
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Verlag / Herausgebende Institution
Verlagsort / Veranstaltungsort
Bordeaux
Auflage
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Schlagwörter
Fachgebiet (DDC)
Veranstaltung
25th IEEE International Conference on Electronics Circuits and Systems
Startdatum der Ausstellung
Enddatum der Ausstellung
Startdatum der Konferenz
Enddatum der Konferenz
Datum der letzten Prüfung
ISBN
ISSN
Sprache
Englisch
Während FHNW Zugehörigkeit erstellt
Ja
Publikationsstatus
Unveröffentlicht
Begutachtung
Keine Begutachtung
Open Access-Status
Lizenz
Zitation
PASCAL, Joris, 2018. Modeling the Effect of Strong Magnetic Field on N-Type MOSFET in Strong Inversion. 25th IEEE International Conference on Electronics Circuits and Systems. Bordeaux. Dezember 2018. Verfügbar unter: http://hdl.handle.net/11654/27335