GaAs nanowires on Si nanopillars. towards large scale, phase-engineered arrays
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Autor:in (Körperschaft)
Publikationsdatum
2022
Typ der Arbeit
Studiengang
Typ
01A - Beitrag in wissenschaftlicher Zeitschrift
Herausgeber:innen
Herausgeber:in (Körperschaft)
Betreuer:in
Übergeordnetes Werk
Nanoscale Horizons
Themenheft
DOI der Originalpublikation
Link
Zugehörige Forschungsdaten
Reihe / Serie
Reihennummer
Jahrgang / Band
7
Ausgabe / Nummer
2
Seiten / Dauer
211-219
Patentnummer
Verlag / Herausgebende Institution
Royal Society of Chemistry
Verlagsort / Veranstaltungsort
Auflage
Version
Programmiersprache
Abtretungsempfänger:in
Praxispartner:in/Auftraggeber:in
Zusammenfassung
Understanding key parameters for III–V nanowire growth on SiO 2/Si nanopillars, and using them to grow large-scale arrays by phase-shift lithography and/or deep ultraviolet (DUV) stepper lithography.
Schlagwörter
Fachgebiet (DDC)
Veranstaltung
Startdatum der Ausstellung
Enddatum der Ausstellung
Startdatum der Konferenz
Enddatum der Konferenz
Datum der letzten Prüfung
ISBN
ISSN
2055-6756
2055-6764
2055-6764
Sprache
Englisch
Während FHNW Zugehörigkeit erstellt
Ja
Zukunftsfelder FHNW
Publikationsstatus
Veröffentlicht
Begutachtung
peer-reviewed
Open Access-Status
Hybrid
Lizenz
Zitation
Minamisawa, R., Minamisawa, R., Güniat, L., Ghisalberti, L., Wang, L., Dais, C., Morgan, N., Dede, D., Kim, W., Balgarkashi, A., Leran, J.-B., Minamisawa, R., Solak, H., Carter, C., & Fontcuberta i Morral, A. (2022). GaAs nanowires on Si nanopillars. towards large scale, phase-engineered arrays. Nanoscale Horizons, 7(2), 211–219. https://doi.org/10.1039/d1nh00553g