A short note on frequency-domain damage calculation for power semiconductors reliability control design
Autor:innen
Autor:in (Körperschaft)
Publikationsdatum
10.02.2025
Typ der Arbeit
Studiengang
Typ
05 - Forschungs- oder Arbeitsbericht
Herausgeber:innen
Herausgeber:in (Körperschaft)
Betreuer:in
Übergeordnetes Werk
Themenheft
DOI der Originalpublikation
Link
Reihe / Serie
Reihennummer
Jahrgang / Band
Ausgabe / Nummer
Seiten / Dauer
Patentnummer
Verlag / Herausgebende Institution
Fachhochschule Nordwestschweiz FHNW
Verlagsort / Veranstaltungsort
Windisch
Auflage
Version
Programmiersprache
Abtretungsempfänger:in
Praxispartner:in/Auftraggeber:in
Zusammenfassung
In this short note, we give a simple derivation of the damage calculation for power semiconductors based on the frequency-domain approximation of damage. This analysis can be further used to design linear control systems aimed at reducing the damage to the semiconductor switches in power converters.
Schlagwörter
semiconductors lifetime, frequency-domain fatigue analysis, reliability
Fachgebiet (DDC)
620 - Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau
Veranstaltung
Startdatum der Ausstellung
Enddatum der Ausstellung
Startdatum der Konferenz
Enddatum der Konferenz
Datum der letzten Prüfung
ISBN
ISSN
Sprache
Englisch
Während FHNW Zugehörigkeit erstellt
Ja
Zukunftsfelder FHNW
Zero Emission
Publikationsstatus
Unveröffentlicht
Begutachtung
Keine Begutachtung
Open Access-Status
Lizenz
Zitation
REZAEIZADEH, Amin und Silvia MASTELLONE, 2025. A short note on frequency-domain damage calculation for power semiconductors reliability control design. Windisch: Fachhochschule Nordwestschweiz FHNW. Verfügbar unter: https://doi.org/10.26041/fhnw-11938