Passivation strategies for minimizing inversion leakage in SiC MOS capacitors
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Autor:in (Körperschaft)
Publikationsdatum
2026
Typ der Arbeit
Studiengang
Typ
01A - Beitrag in wissenschaftlicher Zeitschrift
Herausgeber:innen
Herausgeber:in (Körperschaft)
Betreuer:in
Übergeordnetes Werk
Journal of Integrated Circuits and Systems
Themenheft
DOI der Originalpublikation
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Zugehörige Forschungsdaten
Reihe / Serie
Reihennummer
Jahrgang / Band
21
Ausgabe / Nummer
1
Seiten / Dauer
Patentnummer
Verlag / Herausgebende Institution
Sociedade Brasileira de Computacao
Verlagsort / Veranstaltungsort
Auflage
Version
Programmiersprache
Abtretungsempfänger:in
Praxispartner:in/Auftraggeber:in
Zusammenfassung
In this work, MOS capacitors were developed to study the effect of thin SiO₂ films at the TiO₂/SiC interface. This thin layer aims to reduce the leakage current observed in capacitors with TiO₂ and potentially serves as a passivation layer for the SiC substrate, thereby decreasing the charge density at the interface. SiO₂ films of thicknesses of 2 nm and 10 nm and a 50 nm-thick TiO₂ film were used. Structural characterization revealed that the SiO₂ films are silicon-rich, while the TiO₂ film is titanium-rich. Raman and FTIR analyses of the TiO₂ film deposited on SiC showed that the film exhibits an anatase crystalline structure. Electrical characterization confirmed that the 2 nm-thick SiO₂ film reduced the device leakage current by two orders of magnitude, although it was ineffective in passivating the SiC surface. On the other hand, passivation with N2+O2 plasma yielded a superior-quality interface, as evidenced by an almost null C-V hysteresis, indicating a significant reduction of trapped charges at the interface.
Schlagwörter
Fachgebiet (DDC)
Veranstaltung
Startdatum der Ausstellung
Enddatum der Ausstellung
Startdatum der Konferenz
Enddatum der Konferenz
Datum der letzten Prüfung
ISBN
ISSN
1807-1953
1872-0234
1872-0234
Sprache
Englisch
Während FHNW Zugehörigkeit erstellt
Ja
Zukunftsfelder FHNW
Publikationsstatus
Veröffentlicht
Begutachtung
peer-reviewed
Open Access-Status
Diamond
Lizenz
Zitation
César, R. R., Vidal, M. M., Cioldin, F. H., Maiolini, G., Minamisawa, R., Santos, M. V. P. d., & Diniz, J. A. (2026). Passivation strategies for minimizing inversion leakage in SiC MOS capacitors. Journal of Integrated Circuits and Systems, 21(1). https://doi.org/10.29292/jics.v21i1.1140