REFO-SVM. Optimized PWM for thermal stress and gate switching instability mitigation in SiC MOSFETs
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Publikationsdatum
27.05.2025
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05 - Forschungs- oder Arbeitsbericht
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Verlag / Herausgebende Institution
Hochschule für Technik und Umwelt FHNW
Verlagsort / Veranstaltungsort
Windisch
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Zusammenfassung
This paper proposes an optimized modulation mechanism for a two-level three-phase power electronics converter. The optimal switch selection is designed to address the two degradation factors in SiC MOSFETs: bond-wire lift-off and gate switching instability (GSI). The switching principle is based on space vector modulation (SVM) principle, however, in any voltage angle, one of the legs will be entirely either on or off to reduce the number of switching. Furthermore, the duty cycles are computed based on reducing the thermal stress of the switching devices. The simulation results are compared to three other SVM-based modulation techniques.
Schlagwörter
SiC MOSFET, reliability, gate switching instability, space vector modulation
Fachgebiet (DDC)
Veranstaltung
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Enddatum der Konferenz
Datum der letzten Prüfung
ISBN
ISSN
Sprache
Englisch
Während FHNW Zugehörigkeit erstellt
Ja
Zukunftsfelder FHNW
Zero Emission
Publikationsstatus
Preprint
Begutachtung
Keine Begutachtung
Open Access-Status
Lizenz
Zitation
Rezaeizadeh, A., & Mastellone, S. (2025). REFO-SVM. Optimized PWM for thermal stress and gate switching instability mitigation in SiC MOSFETs. Hochschule für Technik und Umwelt FHNW. https://doi.org/10.26041/fhnw-12823